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18:08 복습.
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[반도체 특강] 다마신 구리 배선 방식_ 알루미늄의 한계를 극복하다
구리를 전해도금(Electroplating) 방식으로 채우는 다마신(Damascene) 공정이 새롭게 개발되면서 10nm(나노미터)의 선폭까지 구현이 가능해졌고, …
Source: news.skhynix.co.kr
Date Published: 12/7/2022
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[반도체8대공정] #금속배선공정(2) _ 구리 배선, Single … – 블로그
그럼 Single Damascene 공정은 뭐고 Dual Damascene 공정은 뭐냐. (싱글 다마신 공정 vs 듀얼 다마신 공정). . Single은 한개만 하는것이고 Dual은 두개 …
Source: blog.naver.com
Date Published: 2/6/2021
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2019.08.10 Al 금속배선, Cu 다마신 공정 – 반도체 이야기
다마신 공정은 홈에 금속을 채워 넣는 공정이다. 먼저 절연물질을 패터닝 공정을 통해 식각하여 홈을 형성하고, 전해 도금 방법으로 구리를 채운다. 이때 …
Source: semiconductor-sm.tistory.com
Date Published: 4/19/2022
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반도체 8대공정 5탄, 금속공정(Metalization) 개념정리
Damascene Process는 Al 금속패턴 형성과정과 반대로 진행하는 방식입니다. 산화막을 먼저 형성한 후 원하는 모양으로 Etching 합니다. 그 후 Barrier …
Source: yeonidoggi.tistory.com
Date Published: 1/6/2021
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BEOL 공정 – Dual Damascene / Single … – 반도체 공부 blog
이 공간에 Cu를 전기도금하여 채워 넣는 것을 말합니다. 전기 도금 – EP. 그리고 이렇게 다마신 하는 공정에는 Dual Damascene과 Single Damascene이 …
Source: employeelife.tistory.com
Date Published: 7/22/2021
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Damascene 공법 – 생각하는 공대생
Damascene 공법은 식각을 진행 한 후 식각된 부위에 물질을 증착한 후 표면을 갈아내는 상감기법이다. 여기서 Barrier로 사용되는 물질은 주로 Ti/TiN …
Source: allgo77.tistory.com
Date Published: 9/15/2022
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[특허]다마신 공정을 이용한 반도체 소자의 구리 배선 형성 방법
다마신 공정을 이용한 반도체 소자의 구리 배선 형성 방법 · 정석원 / 경기 화성시 태안읍 기산리 삼성래미안 ***동 ****호 · 이강현 / 경기 용인시 구성읍 언남리 동일 …
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Date Published: 10/21/2021
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주제에 대한 기사 평가 다 마신 공정
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- Date Published: 2020. 3. 21.
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[반도체 특강] 다마신 구리 배선 방식_ 알루미늄의 한계를 극복하다
반도체 Fab 공정의 첫 단계인 FEOL(Front End Of Line, 전공정)을 통해 반도체 소자 구조를 완성하면, 중간 단계인 MEOL(Mid End Of Line)을 거쳐 BEOL(Back End Of Line, 후공정)을 진행합니다. BEOL에서는 수평면으로 금속선 회로를 깔고, 수직 방향으로는 소자가 외부와 소통할 수 있도록 소자의 4개 단자와 연결하는 콘택트(Contact)와 비아홀(Via Hole)을 형성합니다. 소자와 소자, 소자와 외부를 잇는 이 같은 과정을 바로 ‘금속배선 공정’이라고 하지요.
배선 물질은 소자의 구조가 고밀도로 발전하고 기능이 고속화됨에 따라, 알루미늄(Al)에서 구리(Cu)로 전환됐습니다. 현재 구리는 가장 보편적으로 널리 사용되는 배선 물질이지요. 구리는 내구성과 신뢰성 측면에서 알루미늄보다 우수하지만, 공정이 복잡해 원가가 높으며 새로운 공정 방식을 도입해야 한다는 부담이 있습니다. 그럼에도 불구하고 구리를 전해도금(Electroplating) 방식으로 채우는 다마신(Damascene) 공정이 새롭게 개발되면서 10nm(나노미터)의 선폭까지 구현이 가능해졌고, 이로써 구리 재질은 오래 사용해도 선폭이 유지될 수 있는 높은 신뢰성을 갖게 됐답니다.
1. 배선의 대표 재질, 알루미늄
반도체 금속배선에는 알루미늄(Al), 텅스텐(W), 티타늄(Ti), 구리(Cu) 등 다양한 재질이 사용될 수 있지만, 그중 많은 장점을 가진 알루미늄이 가장 오랫동안 사용되어 왔습니다. 텅스텐의 경우, 알루미늄으로는 채워 넣기 힘든 비아홀(Via Hole)에 주로 적용했지요. 낮은 비저항 성분을 갖는 알루미늄은 전자들이 비교적 쉽게 통과할 수 있는 재질입니다. 여기서 비저항이란, 일종의 저항 성분의 상수값을 의미합니다. 저항값은 단면적과 길이에 따라 달라지는 반면, 전기 비저항 성분은 재질마다 일정하지요. 따라서 비저항치로 재질 내에서 전자들이 이동하는 전도도를 절대치로 나타낼 수 있습니다.
또한, 알루미늄은 식각(Etching)을 통해 이리저리 금속 패턴(Pattern)을 내기 쉬운 재질입니다. 이때 패턴이란 금속막을 PVD(Physical Vapor Deposition, 물리 기상 증착)의 스퍼터링(Sputtering) 방식 혹은 증발 방식 등으로 증착(Deposition)한 뒤, 포토(Photo)공정과 식각공정을 통해 불필요한 영역을 제거해 드러나는 금속선을 뜻합니다.
2. 알루미늄의 단점
금속선은 어떠한 경우든 최소한의 일정 폭이 유지돼야만 도선으로서 제 역할을 할 수 있습니다. 장마로 도로가 유실되면 차가 지나갈 수 없듯이 말이지요. 그러나 Tech.가 발전하면서 금속선의 선폭이 좁아짐에 따라, 알루미늄을 사용한 금속선은 선이 끊기거나 전류를 제대로 전달하지 못하는 등의 치명적인 문제가 자주 발생하게 됩니다.
그중 하나로 전자들이 알루미늄 입자와 충돌할 때 알루미늄 입자들이 전자들이 흐르는 방향으로 조금씩 제자리를 이탈하는 현상인 일렉트로마이그레이션(EM: Electromigration)이 있습니다. 이렇게 알루미늄 입자들의 이동량이 많아질 경우, 특정 부분에 입자들이 부족해 공동(Void)이 발생하거나 반대로 입자들이 너무 많아 경계면에 힐럭(Hillock, 돌출)이 생기기도 하지요. 또한 알루미늄은 연한 재질이므로, 양옆에서 압력(응력)이 가해지면 산맥이 불쑥 솟아오르듯 표면에 힐럭이 발생하기도 합니다.
알루미늄이 높은 온도에서 실리콘 위에 증착될 경우, 두 재질이 상호 확산되며 섞이게 돼 경계면이 파괴되는 스파이킹(Spiking) 및 정션 쇼트(Junction Short) 현상이 발생합니다. 특히 실리콘 표면에 크랙(Crack)이나 공동 등이 발생하면, 여기에 알루미늄이 쉽게 파고들게 되지요. 마치 틈새로 물이 스며들 듯 말입니다. 이러한 현상을 방지하기 위해 실리콘과 알루미늄의 경계면에 금속 성질인 베리어(Barrier, 장애물)를 증착합니다. 혹은 알루미늄 재질에 2wt%(weight %) 미만으로 소량의 실리콘을 섞어 넣어 확산 현상을 줄이지요. 그러나 이 또한 다른 전기적인 부작용을 발생시키므로 근본적인 해결책이 될 수는 없답니다.
3. 구리의 등장
금속선의 선폭이 점점 줄어듦(Down Scaling)에 따라, 50nm 이하의 High Tech.에서는 더 이상 알루미늄을 사용하기 어려워집니다. 또한, 2000년대 초 IBM이 반도체 회로 내에서 알루미늄 대신 구리로 배선을 실현한 시기와 10년 정도 중첩되는 기간을 거치면서 구리-다마신(Damascene)이 정착하게 됩니다.
구리는 알루미늄보다 약 30% 정도 낮은 전기 비저항 성질을 갖고 있어 전도도가 높기 때문에, 알루미늄보다 더 작은 선폭을 구현할 수 있습니다. 비저항이 낮으므로 알루미늄보다 신호를 더욱 빠르게 통과시켜 유리하지요. 전력 소모도 낮아 소자에서 발생하는 열도 줄일 수 있습니다. 더 중요한 요소는 알루미늄의 단점이었던 전자 충돌에 의해 구리 입자가 움직이는 EM의 발생 확률이 급격히 줄어들게 되어, 공동이나 힐럭 등의 발생을 줄일 수 있다는 것입니다. 이로써 배선이 끊어지는 간헐적 불량을 방지할 수 있었으며, 내구성과 신뢰성도 한층 더 우수해진 것이지요.
4. 구리, 문제와 해결책
금속선으로 사용하기에 최적의 물질인 듯하지만, 사실 구리는 배선으로 모양을 내기가 매우 어렵다는 치명적인 단점을 안고 있습니다. 배선 패턴을 형성하려면 구리 재질을 RIE(Reactive Ion Etching, 반응성 이온 식각) 방식으로 깎아내야 하는데, 이 과정이 매우 어렵습니다. 구리를 식각하려면 식각 시 발생하는 화합물이 가스 형태로 배출돼야 하는데, 구리 화합물은 휘발되지 않기 때문입니다. 따라서 나중에 다마신 방식이 완료된 후에도, 불필요한 구리를 제거하기 위해 식각이 아닌 CMP(Chemical Mechanical Polishing, 화학적 기계적 연마) 방식으로 연마(Polishing)해야 합니다. 또한, 구리는 실리콘뿐 아니라 SiO2(이산화규소) 속으로도 확산될 수 있어 알루미늄보다 더욱 치명적인 스파이킹(Spiking) 현상과 정션 쇼트(Junction Short)를 발생시킵니다.
이같은 구리의 문제점을 해결하기 위해서는, 먼저 구리의 확산을 막기 위한 베리어를 설치합니다. 이는 알루미늄인 경우와 유사하게 실리콘/SiO2와 구리 사이에 추가적인 베리어를 형성하는 방법입니다. 또한, 구리막이 식각되지 않는 문제는 다마신이라는 상감 기법을 적용해 해결합니다. 다마신이란 미리 만들어 놓은 틀 속에 용융된 금속 액체를 주입해 넣듯, 전해도금(Electroplating)으로 구리를 채워 넣는 방식을 말합니다.
5. 다마신(상감) 방식
구리로 패턴을 채워 넣을 때는, 전해도금 방식 외 다른 증착 방식을 적용할 수도 있습니다. 예를 들어 빈 공간에 채워 넣는 방식으로 PVD나 ALD(Atomic layer deposition, 원자층 증착) 등이 있지요. 그러나 PVD는 주로 스퍼터링 방식이나 증착 방식을 적용하는데, 이는 단차 피복(Step Coverage)이 매우 불량하게 형성돼 채우고자 하는 갭필(Gap Fill) 밑에 공동이 형성될 수 있어 피해야 할 방식입니다. 또 다른 방식으로 ALD 방식이 있지만, 증착 속도가 너무 느리다는 단점이 있지요. 게이트옥사이드(Gate Oxide)나 커패시터(Capacitor) 막을 형성할 때는 사용해야 하지만, 막질의 품질이 비교적 덜 중요한 금속막에 ALD를 적용하는 것은 불필요한 비용(Cost)을 발생시킵니다. 그 외에도 CVD가 있지만, 이 방식은 갭(Gap)을 완전히 채워도 심(Seam, 틈)이 남는다는 문제가 있습니다.
하지만 전해도금 방식은 이러한 결함(Defect)이 발생하지 않습니다. 이 역시 증착 방식의 일종이나, 전해도금 방식을 이용할 경우 촉매가 증착율을 높여 거의 완벽하게 빈 공간을 채울 수 있다는 이점이 있습니다.
반도체 회로 배선 물질을 알루미늄에서 구리로 대체한 다마신 방식은 현재 가장 널리 쓰이고 있습니다. 구리-다마신 방식은 이제 10nm의 금속선 폭에서도 구현이 가능해, 향후 오랫동안 사용될 가능성이 큽니다. 현재로서는 구리보다 우수한 물질을 찾을 수 없는 것이지요. 메탈(Metal)은 점점 층수가 많아져, 다층 레이어(Layer)화 되는 추세이며, 메탈층뿐 아니라 콘택트/비아홀 등이 복잡해지고 있습니다. 그에 따라 드레인 단자에서 출발한 전류가 칩 패드까지 여행하는 데 걸리는 거리 또한 길어지고 있어, 선폭이 좁아지고 기능이 복잡해질수록 이와 비례해 구리-다마신-전해도금 방식이 매우 중요해지고 있습니다.
※ 본 칼럼은 반도체/ICT에 관한 인사이트를 제공하는 외부 전문가 칼럼으로, SK하이닉스의 공식 입장과는 다를 수 있습니다.
[반도체8대공정] #금속배선공정(2) _ 구리 배선, Single Damascene, Dual Damascene
Single Damascene / Dual Damascene 공정
앞서 언급했다시피 Cu는 건식식각이 어렵기 때문에 다른 방법을 통해서 배선 공정에 사용해야 한다. 그 방법은 다마신기법, 다마신공법, 다마신공정, 상감기법이라고 불리는 공정이다.
알루미늄을 배선 재료로 쓸 경우에는 미리 알루미늄을 증착하고 패턴에 맞게 식각을 하는 공정이라고 하면 구리를 배선재료로 쓸 경우에는 패턴에 맞게 미리 파놓은다음에 구리를 전기도금을 통해서 형성하는 공정이다.
즉, 알루미늄은 건식식각이 가능하기 때문에 깔고 깎는데 구리는 건식식각이 불가능하기 때문에 깎고 까는 느낌이라고 할 수 있습니다.
그럼 Single Damascene 공정은 뭐고 Dual Damascene 공정은 뭐냐.
(싱글 다마신 공정 vs 듀얼 다마신 공정)
Single은 한개만 하는것이고 Dual은 두개를 하는것만 같다.
맞습니다.
Single Damascene 공정은 한층의 Metal 배선만 만드는 공정이라고 한다면
Dual Damascene 공정은 Via 층과 Metal 층을 동시에 만드는 공정이다.
현재, 반도체 생산 라인에서는 Dual Damascene 공정을 주로 이용하는 것으로 알고 있다. 그 이유는 공정 step 수를 줄여 공정시간, 비용을 줄일 수 있으며 일체형 구조가 가능하기 때문에 전기적 특성과 신뢰성 측면이 유리하기 때문이다. 예를들면 다음과 같다.
* Single Damascene 공정 : Via층 = W(텅스텐), 금속층 = Cu(구리)
* Dual Damascene 공정 : Via층 = Cu(구리), 금속층 = Cu(구리)
Single Damascene 공정은 Dual Damascene 공정의 일부이기 때문에 본 포스팅에서는 Dual Damascene 공정 위주의 내용을 다뤄보겠습니다.
2019.08.10 Al 금속배선, Cu 다마신 공정
Al은 낮은 비저항을 가지고 시각에 의한 패터닝이 용이하여 ( 융점이 낮다는 장점 ) 배선금속으로 오랫동안 사용되었다.
그러나 알루미늄은 실리콘과 만나는 계면에서 서로 섞이려는 성질을 가진다.
접합면이 파괴되는 현상이 발생한다. ( Junction Spiking )
접합 파괴를 방지하기 위해 알루미늄 내에 실리콘을 1~2 wt% 정도 첨가하여
실리콘과 알루미늄이 섞이는 것을 줄이거나 혹은 금속 배리어를 증착하는 과정이 추가된다.
더불어 알루미늄은 전기신호가 지속적으로 인가되면 전자가 이동하면서 알루미늄 원자와 충돌해
결정립을 따라 전자 이주 현상이 발생한다. 알루미늄이 이동하면서 발생하는
빈 공간 (Void)에 의해 배선이 끊어지거나 힐록이 발생하기도 한다.
추가로 압축응력에 의해서도 힐록이 발생할 수 있다.
Issues
Cu 금속배선은 알루미늄보다 더 낮은 비저항을 가져 배선의 RC delay가 작아 배선으로 매우 유리하다.
뿐만 아니라 알루미늄보다 높은 전자 이주 저항성을 가져 신뢰성도 높다.
하지만 Cu 배선은 건식식강이 어렵고, 실리콘이나 실리콘 옥사이드에 확산반응을 일으킨다는 점이 장애물로 작용한다.
Damascene 공정
다마신 공정은 홈에 금속을 채워 넣는 공정이다.
먼저 절연물질을 패터닝 공정을 통해 식각하여 홈을 형성하고, 전해 도금 방법으로 구리를 채운다.
이때 구리와 절연막 사이에 확산 방지막이 필요하다. 이후 불필요한 부분은 폴리싱을 통해 제거해준다.
듀얼 다마신은 배선 역할의 홈과 컨택 역할의 비아를 한 번에 형성하는 방식이다.
절연물 SiO2등 사이에 배선 모양으로 홈과 비아를 형성하고 장벽 금속과 도금을 위한 구리 씨드를 증착,
돌출된 구리는 CMP로 연마해준다.
전해도금 선택의 이유
PVD : 단차 피복 불량
ALD : 낮은 생산성
CVD : 구리를 CVD 증착시 전구체에 들어가는 불소가 Ta나 TaN 장벽 금속의 Ta과 반응하여 불화탄탈륨화합물 형성
반도체 8대공정 5탄, 금속공정(Metalization) 개념정리
반도체 8대공정 5탄, 금속공정(Metalization) 개념정리
Metalization이란 소자 간 연결선 역할을 하는 Interconnect 와 S/C에서 전기적인 신호를 받거나 내보내는 역할을 수행하는 Contact 를 제작하는 공정입니다. 즉, S/C 에 전류가 흐르는 도로를 만드는 과정이 바로 Metalization인 것입니다. 일반적으로 단일층 재료로 Al과 Cu 를 사용하고 있고 다층구조에는 Ti와 W 를 사용하는 추세입니다.
그렇다면 위에 나와 있는 금속 이외에도 다른 금속을 사용할 수 있을까요?
Metalization에 사용하기 위해서는 다음 6 가지 조건을 충족해야합니다.
BEOL 공정 – Dual Damascene / Single Damascene
안녕하세요
오늘은 BEOL 공정에 대해서 한번 알아보려고 합니다.
일단 BEOL 공정이란
Back End Of Line의 줄임말입니다!
역할은, 각 소자들이 서로 연결 될 수 있게
라우팅(Routing) 해주는 것이 큰 목표라고 생각하시면 됩니다!
따라서 각 Layer는 Metal로 이루어져 있어야 하고
비저항이 낮은 Cu가 많이 쓰입니다.
다만, Cu의 경우 Dry Etch가 안되기 때문에
Damascene 공정을 해야 하는데, 이는 빈 공간을 먼저 만들고
이 공간에 Cu를 전기도금하여 채워 넣는 것을 말합니다.
전기 도금 – EP
그리고 이렇게 다마신 하는 공정에는 Dual Damascene과 Single Damascene이 있습니다.
Dual Damascene과 Single Damascene의 차이는 한번에 Trench와 Via를 전기 도금 할 것인지,
따로따로 전기 도금 할 것인지에 따라 나뉘게 됩니다.
Single Damascene Dual Damascene
그렇다면 언제 single Damascene을 쓰고, 언제 Dual Damascnene을 쓸까요?
일단 당연히 Dual Damascene을 쓰면 한번에 두 레이어를 전기 도금 할 수 있기에
공정 STEP수도 줄어들고 비용도 줄일 수 있습니다.
하지만 공정적으로 High A/R 구조가 되면 GAP FILL이 어려워 지게 됩니다.
특히 Metal Routing에서 Void가 생기거나 SEAM이 생기면
저항에 바로 큰 영향이 가기 때문에 엄청 Risk 한 영역입니다.
그래서 High A/R 구조를 잘 채우기 위해서는 보통 SIngle Damascene을 선택하게 됩니다.
하지만.. 안그래도 Metal 쪽에 엄청나게 MASK를 많이 쓰고 있는 터라…
최대한 공정 수를 줄이는게 수익과도 연결 되고…
또한 Single Damascnen으로 진행할 경우에
Via와 Metal 사이에 또 Barrier Metal이 들어가야 합니다 ㅠㅠ
그러면 또 저항이 늘어나겠죠…
이러한 이유로 최근 대세는..
Dual Damascene을 쓰는 것 같고
대신에 High A/R 구조의 한계는 기술적으로 채우게 됩니다.
다음에는 이렇게 High A/R 구조를 함에도 Dual Damascene으로 공정이 진행 가능 한
이유에 대해서 한번 알아보도록 하겠습니다.
Damascene 공법
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Damascene 공법
Damascene 공법은 식각을 진행 한 후 식각된 부위에 물질을 증착한 후 표면을 갈아내는 상감기법이다.
여기서 Barrier로 사용되는 물질은 주로 Ti/TiN 또는 SiN을 사용한다. 또한, Step Coverage 향상을 위해 CVD로 증착을 진행한다.
Barrier의 역할은 다음과 같다.
1. 금속과 실리콘 간의 확산을 방지 (Cu의 단점인 확산 방지)
2. Void가 생겨도 전기적 연결이 끊기지 않게 전자의 추가적인 경로 역할 (저항이 증가한다는 단점이 있음)
[특허]다마신 공정을 이용한 반도체 소자의 구리 배선 형성 방법
초록
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반도체 소자의 구리 배선 형성 방법을 제공한다. 본 발명은 하부 구리층 상에 형성되는 구리 확산 방지 및 식각저지용 물질막인 질화막을 다단계 플라즈마 식각하고 세정하여 상기 하부 구리층을 노출시킨다. 상기 다단계 플라즈마 식각은 상기 구리 확산 방지 및 식각저지용 물질막을 플라즈마 식각하는 1단계와, 상기 1단계에 발생한 폴리머를 제거하기 위하여 수소 플라즈마 처리하는 2단계와, 상기 2단계에서 노출된 하부 구리층의 표면을 보호하기 위해 질소 플라즈마 처리하여 패시베이션층을 형성하는 3단계로 이루어질 수 있다. 이에 따라, 본 발명은 하부 구리층이나 층간 절연막의 측벽에 증착된 폴리머를 제거함과 아울러…
반도체 소자의 구리 배선 형성 방법을 제공한다. 본 발명은 하부 구리층 상에 형성되는 구리 확산 방지 및 식각저지용 물질막인 질화막을 다단계 플라즈마 식각하고 세정하여 상기 하부 구리층을 노출시킨다. 상기 다단계 플라즈마 식각은 상기 구리 확산 방지 및 식각저지용 물질막을 플라즈마 식각하는 1단계와, 상기 1단계에 발생한 폴리머를 제거하기 위하여 수소 플라즈마 처리하는 2단계와, 상기 2단계에서 노출된 하부 구리층의 표면을 보호하기 위해 질소 플라즈마 처리하여 패시베이션층을 형성하는 3단계로 이루어질 수 있다. 이에 따라, 본 발명은 하부 구리층이나 층간 절연막의 측벽에 증착된 폴리머를 제거함과 아울러 하부 구리층의 표면 산화를 방지할 수 있다.
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